DDR3 2月合約價漲2～5％，漲勢可延續到下半年，南亞科、華邦電等受惠
台北報導
　隨著5G數據機晶片及WiFi 6／6E無線網路晶片供不應求情況逐步獲得紓解，包括WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端裝置（CPE）出貨放量，進一步拉動利基型x16規格2Gb及4Gb DDR3需求。在供給吃緊情況下，利基型DDR3的2月合約價提前調漲2～5％幅度，價格漲勢可望維持至下半年。
　隨著韓系DRAM廠已將舊製程DRAM產能移轉生產CMOS影像感測器（CIS），包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）等台灣業者已成為全球最主要的利基型DDR3供應商。由於WiFi 6／6E及5G用戶終端仍採用利基型DDR3設計，法人看好台灣DRAM業者營運一路旺到下半年。
　去年下半年電子生產鏈因為長短料問題，導致利基型DRAM合約價出現緩跌走勢，市場原本預期第一季合約價恐續跌5～10％，第二季才會止跌回穩，但因為DRAM廠產能及產品線調配，位元供給量明顯減少，然而WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端的長短料問題獲得紓解，特別是WiFi 6／6E無線網路晶片及5G數據機晶片缺貨情況大幅改善，帶動利基型DDR3合約價提前進入上漲循環。
　根據集邦科技及模組廠報價，2月份利基型DRAM合約價較1月上漲2～5％，其中，關鍵的x16規格4Gb DDR3顆粒合約價月漲3.17％達2.60美元，x16規模2Gb DDR3顆粒合約價月漲2.42％達2.33美元，均創下近5個月來新高。業界看好利基型DRAM合約價漲勢可延續到下半年。
　業者分析，三星及SK海力士將舊DRAM製程移轉生產CIS元件，造成DDR3的位元出貨量明顯減少，而業界並無DDR3新增產能開出，南亞科現有產能全滿，新廠產能開出時間落在2024年之後，華邦電高雄廠新增每月1萬片產能要第四季才開始投片，位元出貨明顯提高時間點落在明年第一季。由此來看，DDR3供給吃緊情況應會延續到下半年，價格是易漲難跌。
　由需求面來看，今年因為核心邏輯晶片供貨增加，包括WiFi 6／6E路由器、5G用戶終端等網通裝置，以及工業自動化、安全監控、車用電子等相關應用，去年未能出貨訂單將會在上半年放量出貨，由於這些應用仍採用DDR3記憶體設計，所以DDR3缺貨問題已浮上檯面。法人指出，國際大廠淡出後，台廠已是DDR3主要供應商，隨著訂單大舉湧現，看好南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創直接受惠。

需求回升及供應鏈重啟庫存回補，華邦電、晶豪科、鈺創營運可望逐季轉旺

　台北報導
　韓系DRAM大廠2021年第四季加快將舊製程產能轉移生產CMOS影像感測器（CIS），利基型DRAM位元供給量持續降低，隨著消費性電子生產鏈長短料問題獲得紓解，在需求回升及供應鏈重啟庫存回補情況下，利基型DRAM合約價提前在2021年12月止跌回溫，2022年第一季可望淡季不淡。
　法人看好華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）營運逐季轉旺。
　市調機構集邦科技日前指出，第一季原本就屬消費性電子產品的相對淡季，加上各國陸續解封之下，以電視為首的相關需求仍將維持低迷，恐將導致利基型DRAM需求較為疲軟。至於供應鏈的長短料問題仍在，採購對於相對長料的DRAM備貨意願恐不高。集邦預估2022年第一季利基型DDR4合約價季跌5～10％，利基型DDR3合約價季減3～8％，其中以4Gb走跌幅度較大，而2Gb相對較緩。
　然而以合約價表現來看，2021年第四季受到生產鏈長短料影響，利基型DRAM合約價在10月出現明顯跌勢，11月價格續跌但跌幅縮小，隨著12月中旬過後，標準型DRAM現貨價重拾漲勢，利基型DRAM現貨價止跌回穩，4Gb以下容量利基型DRAM合約價在12月出現持平及小漲，業界對2022年市況看法已明顯轉向樂觀。
　通路業者指出，雖然2021年第四季利基型DRAM合約價跌幅仍達3～8％之間，但12月下旬合約價明顯止跌回溫，4Gb x16 DDR4合約價持平，4Gb及2Gb x16 DDR3合約價小漲近1％，其中原因包括韓系DRAM廠加快CIS產能轉換，利基型DRAM位元出貨量持續減少，生產鏈長短料的負面影響逐步淡化，以及通路手中庫存降低開始回補等。
　業界原本預期2021年第四季到2022年第一季，利基型DRAM會因客戶調節庫存，價格將出現短期小幅修正，要等到第二季後會止跌回升，下半年進入旺季後價格會有續漲力道。然而近期DRAM市場需求弱化情況沒有預期中嚴重，韓國業者加速調整產能，已造成利基型DRAM位元供給增加停滯，加上標準型DRAM現貨價提前反彈帶動，業界預期利基型DRAM價格已提前落底。
　法人看好2022年利基型DRAM價格逐季上漲趨勢，雖然年度漲幅不會像2021年般強勁，但價格在第一季開始止跌反轉向上，將推升華邦電、晶豪科、鈺創等營運進入成長循環，而且2022年全年平均出貨價格（ASP）會高於2021年，年度獲利表現可望再締新猷。

涂志豪／台北報導
　國際半導體產業協會（SEMI）於台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）舉行半導體產業ESG永續倡議活動，獲得台積電、日月光、南亞科、力積電、世界先進、旺宏、欣興、華邦電、聯電、穩懋、國發會及工研院齊聚響應，期盼鏈結半導體產業與國際接軌，持續提升永續競爭力形象。再者，台積電表示將以TSMC ESG AWARD鼓勵員工提出鏈結公司ESG五大方向好點子，表彰組織的ESG績效，為社會帶來正向改變。
　SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，因應全球氣候變遷的嚴重影響，全球積極地在各領域進行減少碳足跡的措施。遵循此一趨勢，SEMI為幫助產業實踐永續未來，同時也透過節能減廢媒合會等活動，協助供應鏈夥伴進行創新綠色製程的技術鏈接。
　秉持提升社會的ESG願景，台積電以TSMC ESG AWARD鼓勵員工提出鏈結公司ESG五大方向的好點子，表彰組織的ESG績效，為社會帶來正向改變。繼2020年舉行第一屆TSMC ESG AWARD，2021年進一步加入二個海外子公司共襄盛舉，並透過3D虛擬展覽空間、全公司性直播活動等數位創新途徑，降低疫情間群聚風險。
　台積電表示，2021年總計報名提案數達1,257件，相較去年成長60％，持續擴大共好影響力。台積電董事長暨ESG指導委員會主席劉德音表示，TSMC ESG AWARD的提案不只是點子，而是進一步透過具體行動，成為提升社會向上的力量。
　包括日月光、南亞科、力積電等分享ESG行動及方案。日月光投控行政長汪渡村表示，日月光驅動各重要子公司及營運單位實踐ESG行動方案，致力於推動正面影響力，期盼半導體供應鏈生態圈可建構更美好的未來。
　南亞科副總經理吳志祥表示，在面對全球氣候變遷議題上，除加強氣候韌性調適、降低災害可能帶來的營運衝擊、積極減緩溫室氣體的排放外，長期研發先進且具高效能的環境友善記憶體產品，並將綠色管理融入企業經營中，持續透過去碳化策略建構低碳營運模式，以接軌國際邁向淨零。
　力積電副總經理譚仲民表示，力積電過去五年已投資逾2億元在節能設備的優化，節省能源約6,700萬度電、減碳總量約3.6萬噸。節水方面，力積電透過完整的分流及分級回收、純化後，重新再供應廠內各單元使用。

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記憶體大廠華邦電強化利基型記憶體製程及產品線布局，25奈米加強版DRAM製程D25s技術將在今年進入量產，同時擴大HyperRAM及AI DRAM出貨動能，45奈米NOR Flash製程開發順利，TrustME安全記憶體通過第三方獨立安全認證並獲國際大廠採用。華邦電董事長焦佑鈞表示，面對國際政經不確定情勢、科技產業瞬息萬變、疫情持續在全球蔓延等多方挑戰，華邦電整合集團資源發揮經營綜效，維持長期營運成長動能。
華邦電受惠於記憶體價格上漲，推升季度毛利率明顯回升，第一季合併營收達213.25億元創下歷史新高，平均毛利率季增7.2個百分點達37.6％，歸屬母公司稅後淨利15.86億元，較上季成長逾3.5倍，每股淨利0.40元，季度獲利為2018年第三季以來的11季度新高。
由於記憶體及轉投資新唐的微控制器（MCU）第二季價格順利調漲且出貨暢旺，華邦電4月合併營收月增4.2％達83.05億元，較去年同期成長91.0％並創下歷史新高，累計前四個月合併營收296.30億元，較去年同期成長86.4％亦改寫歷年同期新高紀錄。法人看好華邦電第二季營收上看250億元續創新高，下半年營收亦將逐季續創新高。
華邦電持續優化中科12吋廠產能與製程，月產能已由5.4萬片提升至5.7萬片，利基型DRAM及NOR Flash為二大產品線扮演雙引擎，持續作為營運穩定基礎。華邦電利基型DRAM已在去年導入25奈米量產，下一代製程D25s開發按進度進行且預計今年進入量產。
焦佑鈞在營業報告書中指出，隨著5G相關基礎建設逐漸到位，雲端服務、物聯網、AI及自動駕駛等技術日益普及成熟，再加上「無接觸經濟」相關產業的興起，半導體及記憶體市場規模可望進一步推升。

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固態硬碟（SSD）強勁需求有效去化NAND Flash庫存，在上游原廠優先對SSD供貨的產能排擠效應下，包括eMMC、eMCP、UFS等嵌入式記憶體模組供不應求且價格大漲，8GB～32GB eMMC現貨價3月上旬就大漲75～85％，法人看好在eMMC及eMCP市場布局多年的華邦電、晶豪科受惠最大。
新冠肺炎疫情加速數位轉型，今年來筆電及平板、伺服器等出貨暢旺，帶動SSD強勁出貨動能，由於包括戴爾、惠普、華碩等一線OEM廠推出的新款筆電搭載SSD主流容量已達512GB或1TB，伺服器廠亦大舉提高SSD搭載容量，有效去化NAND Flash市場庫存，第一季合約價已見止跌。
由供給面來看，包括三星、SK海力士、鎧俠、美光等今年全力衝刺高層數3D NAND產能，其中三星、美光、SK海力士今年加速轉換至176層3D NAND，鎧俠及威騰（WD）轉換至162層3D NAND。層數提升有效降低每GB製造成本，每片3D NAND晶圓切割出的512Gb NAND顆粒數較上代技術增加30～40％，SSD成為去化產能的最大出海口。
業者表示，由於數位轉型商機持續推升SSD出貨續創新高，上游原廠加速3D NAND層數提升，SSD每GB價格有效降低又再刺激更多的SSD需求，在上游原廠優先對SSD產品線供貨情況下，eMMC及eMCP等嵌入式記憶體模組的NAND Flash貨源受到明顯排擠。由於5G手機、WiFi路由器、智慧電視等應用對eMMC或eMCP的需求有增無減，導致市場供需失衡，3月以來價格飆漲。
據集邦科技及模組廠15日最新現貨報價，8GB eMMC均價達4.41美元，3月上旬累計漲幅76％，16GB均價6.43美元，3月上旬累計漲幅84％，32GB均價突破10美元，3月上旬累計漲幅約75％。

今年估一路漲到第四季，南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創最受惠

台北報導
新冠肺炎疫情推升筆電及平板、WiFi網通設備、伺服器等銷售動能，加上車用電子需求大爆發，包括標準型、伺服器、利基型等DRAM均因供給吃緊，1月合約價全面上漲，南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創等直接受惠，營運明顯好轉。
由於三大DRAM廠上半年位元供給增幅有限，業界預期供不應求市況將延續到下半年，DRAM價格逐季看漲到第四季。
去年DRAM價格逐季走跌，但今年可望上演V型反轉戲碼。由於三星、SK海力士、美光等三大廠去年進行庫存調整後，現在手中庫存水位已降至二～三周低點。由於上半年三大廠均無新產能開出，雖然製程由1z奈米向1a奈米轉進，但製程微縮將帶來晶圓產能的自然減損，所以今年以來DRAM廠均嚴控出貨，位元供給增幅明顯受限。
但由需求面來看，第一季淡季轉旺，新冠肺炎疫情帶動筆電及平板、WiFi裝置、伺服器等出貨暢旺，加上全球車用晶片大缺貨，且車用電子的平均DRAM搭載容量呈現倍增，造成第一季DRAM市場供給吃緊，包括標準型、伺服器、利基型DRAM的1月合約價全面上漲。
根據集邦科技及模組廠報價，1月份伺服器DRAM價格止跌上漲，32GB DDR4 RDIMM合約價月增4.6％達115美元，64GB DDR4 LRDIMM合約價月增4.9％達235美元。1月份標準型DRAM價格亦重拾漲勢，8GB DDR4模組合約價月增4.8％達26美元，換算8Gb DDR4顆粒合約價已達3美元。再者，1月份利基型DRAM價格持續上漲，缺貨較明顯的DDR3漲勢放大，2Gb DDR3顆粒月增6.7％達1.12美元。
DRAM龍頭大廠三星電子日前法說會中指出，伺服器客戶庫存調整結束，開始追加投資且第二季新平台出貨轉旺，5G手機出貨量持續拉高，遠距商機帶動筆電出貨續強，看好上半年DRAM價格逐季上漲。
雖然三星韓國平澤P2廠、SK海力士M16廠、美光台中擴建工程等均在今年完工開始量產，但產能開出要等到下半年，且DDR5晶片尺寸較DDR4增加20％，全年位元出貨成長幅度仍在控制範圍。業界對於今年DRAM價格逐季上漲已有共識，推估第一季平均價格上漲5％，第二季擴大至10％，下半年供不應求態勢不變，價格將看漲到第四季。

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記憶體大廠華邦電（2344）16日宣布與手機晶片大廠高通擴大合作，華邦電推出擁有新功能的1.8V低功耗及512Mb容量QspiNAND Flash，並專為高通9205 LTE數據機而設計，共同搶進龐大的物聯網及車聯網產業，並為新型行動網路NB-IoT（窄頻物聯網）模組的設計人員提供正確的儲存容量，搶攻2023年市場規模達6.85億個的NB-IoT應用裝置市場。
市調機構WebFeet Research總裁Alan Niebel表示，到了2020年，物聯網的規模將成長到500億個連網裝置，未來幾年Quad SPI-NAND的採用率可能會增加4～5倍，華邦電1.8V的QspiNAND Flash相當適合汽車及物聯網產業使用。NB-IoT已經蓄勢待發，在全新的連網世界中茁壯成長，2023年之前出貨量可望達到全球6.85億個裝置。
高通表示，已對華邦電的QspiNAND進行各種測試及驗證，目前以堆疊KGD（已知良品）解決方案形式運用於高通Qualcomm 9205 LTE數據機，讓OEM客戶能打造出外型極為精巧的系統。高通與華邦電維持長久的合作關係，雙方將共同打造IoT技術解決方案。
為滿足全球對大容量解決方案持續成長的需求，華邦電QspiNAND在台灣台中的12吋晶圓廠量產。華邦電表示，正在擴展產能因應及確保支援汽車與IoT產業全新業務帶來的成長。

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記憶體大廠華邦電（2344）17日宣布，開發出業界首款新型高速OctalNAND Flash產品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，OctalNAND Flash可望於1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業應用領域穩健可靠的儲存記憶體。
華邦電去年第四季雖然小虧，但全年仍維持獲利。去年合併營收487.71億元，歸屬母公司稅後淨利12.56億元，與前年相較減少83.1％，每股淨利0.32元。今年以來記憶體價格止跌回升，但因農曆春節長假導致工作天數減少，華邦電公告1月合併營數月減9.6％達36.83億元，較去年同期減少5.0％。法人預估華邦電2月營收回穩，3月後營收表現將進入新一波的成長循環。
華邦電認為新冠肺炎的影響是短期，3月會恢復產業供需秩序，而隨著5G等應用帶動記憶體需求，加上上半年遞延的需求會在下半年快速補上，預期下半年DRAM及NAND/NOR Flash市場將供需平衡甚至是供不應求。華邦電今年資本支出提升至143億元，較去年的132億元增加約8％，維持近4年來積極布局策略。
隨著5G商用帶動人工智慧物聯網（AIoT）市場快速成長，但用來儲存程式碼的NOR Flash卻因容量需求愈高，成本也出現倍數成長，特別是在512Mb以上的儲存容量NOR Flash成本擴充效益不佳。華邦電宣布推出同樣採用序列x8 Octal介面的OctalNAND Flash，可望提供車用電子與工業製造商高容量的儲存記憶體產品，無須屈就成本砸大錢購買NOR Flash。
華邦電表示，NOR Flash技術可靠性高且讀寫速度快，可支援快速啟動，因而華邦電客戶大多以此技術作為記憶體存儲方案。然而目前業界的晶圓製程技術，在NOR Flash記憶體容量達512Mb的情況下，晶片尺寸已經到達了業界標準封裝的極限，超過512Mb容量後擴充效益低落，並大幅推升晶片尺寸與封裝成本。
華邦電首款1Gb容量OctalNAND Flash連續讀取速度最高可達每秒240MB，相較華邦電先前發表的高效能QspiNAND Flash系列產品速度高出3倍，相較於市面上一般Quad Serial介面NAND Flash產品的讀取速度更是快了將近10倍。新產品採用華邦電46奈米SLC NAND製程，資料保存期可達10年以上，寫入及抹除次數可達10萬次以上，符合關鍵任務型車用與工業應用所需的高耐用性與高可靠性。

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記憶體廠華邦電（2344）公告12月合併營收40.74億元，累計全年合併營收487.71億元，相較2018年小幅衰退4.73％，不過進入2020年後，隨著記憶體市場價格開始回溫，法人表示，華邦電將可望搭上這波記憶體回溫潮，2020年合併營收將可望明顯優於2019年表現。
華邦電公告12月合併營收達40.74億元、月增0.41％，相較2018年同期成長10.35％，第四季合併營收為124.52億元、季減7.21％，累計2019年全年合併營收小幅減少4.73％。
華邦電2019年合併營收受到智慧手機需求減少，加上美中貿易戰衝擊，使記憶體價格明顯衰退，華邦電董事長焦佑鈞先前也說，記憶體價格跌幅嚴重，但對於後續記憶體價格依舊抱持正面看法。
供應鏈指出，NAND Flash價格進入2019年下半年後，已經開始止跌回升，且第四季價格依舊持續回溫，DRAM則在第三季起開始止穩，第四季報價仍維持穩定水準，觀察2020年第一季DRAM、NAND Flash等兩大記憶體報價將可望呈現穩定水準，NAND Flash更有機會看增。
根據集邦科技（Trendforce）針對記憶體的最新報告指出，Flash類別的產品合約價在2020年第一季均可望持續上漲。展望第二季，受惠於下半年的智慧型手機以及遊戲主機等新產品的生產備貨，以及準備進入傳統旺季，預期漲價態勢得已延續。
至於DRAM報價，集邦科技認為，雖然標準型記憶體、利基型記憶體與行動式記憶體價格預估仍較前一季小幅下跌，但伺服器記憶體有機會率先領漲，帶動整體DRAM平均銷售單價較前一季持平。
法人表示，隨著DRAM、NAND Flash等兩大記憶體報價止穩，且在切入真無線藍牙耳機、物聯網（IoT）等供應鏈，華邦電2020年業績將可望重回成長軌道。
此外，華邦電已經成功切入低腳數、低功耗的HyperRAM市場，將可望藉此攻入更為高階的人工智慧物聯網，法人看好，在5G需求引領之下，人工智慧物聯網將再度提升，華邦電記憶體出貨將不看淡。

台北報導
由於CMOS影像感測器（CIS）市場需求強勁且供不應求，韓系記憶體廠持續將舊有DRAM產能移轉生產CIS元件，2020年DRAM位元供給年增率恐創下近10年來新低。在供給增幅減少、市場庫存降低、需求逐步回升等情況下，業界對於DRAM市況提前在第一季反轉向上已有高度共識。
隨著DRAM現貨價持續上漲，法人看好南亞科、華邦電、威剛的2020年營運表現。
隨著智慧型手機搭載3～4顆多鏡頭相機及飛時測距（ToF）感測器成為主流，帶動CIS需求出現跳躍成長，下半年CIS呈現供不應求情況，而且缺貨問題已經由低畫素延燒到高畫素。CIS龍頭大廠索尼半導體子公司社長清水照士近日接受外媒訪問時就表示，即使索尼已擴大投資擴建新產能，但日本長崎新廠要到2021年4月才開始投產，CIS市場仍會供不應求。
CIS市場在2020年將因強勁需求而出現缺貨危機，也讓各家CIS供應商積極爭取產能。由於台積電及聯電等晶圓代工廠能提供的產能有限，記憶體廠考量到DRAM製程與CIS製程相近，下半年開始將舊有DRAM產能移轉生產CIS元件。
原本就是全球第二大CIS廠的三星，已陸續將Line 11及Line 13等兩條DRAM產線移轉生產CIS元件，移轉完成後CIS元件月產能可望由4.5萬片大舉提高至12萬片，以符合三星集團手機事業的CIS元件需求，並可爭取華為或OPPO等其它手機廠訂單。至於SK海力士也在下半年將M10廠的DRAM生產線陸續移轉投入CIS晶圓代工。
業者表示，DRAM市場自去年下半年因供給過剩，現在價格幾乎只有去年同期的三分之一，將已不具成本優勢的舊有製程生產線移轉生產CIS元件，一來可爭取到更多價格不錯的CIS晶圓代工訂單，二來也可減少DRAM供給來維持價格及穩住獲利。
第四季以來DRAM市場需求回溫，主流的8Gb DDR4顆粒現貨價站上3美元，12月以來漲幅超過10％。集邦科技指出，DRAM現貨價上漲改變了市場氛圍，在預期性心理下合約市場買方備貨意願提高，合約價可望提前至2020年第一季止跌。