極紫外光微影技術引爆強勁需求
台北報導

極紫外光（EUV）已確定是次世代微影技術主流，隨著DRAM廠開始在16奈米及更先進製程、晶圓代工廠及IDM廠在7奈米及更先進邏輯製程等開始導入EUV技術，引爆極紫外光光罩盒（EUV Pod）強勁需求。由於半導體廠接單中只要多1層EUV光罩層需求，就要對應增加約240～260顆EUV Pod採購量，家登（3680）成為最大受惠者，現有產能滿載供不應求，訂單也已經排滿到明年上半年。
根據設備大廠艾司摩爾（ASML）統計，自2011年開始生產採用EUV微影技術晶圓以來，至2018年第二季末為止，累計採用EUV曝光的晶圓數高達320萬片，其中光是2018年的前6個月，累計晶圓就達100萬片左右。隨著台積電及三星晶圓代工開始量產支援EUV的7奈米，英特爾將在2021年後量產採用EUV製程7奈米，以及三星及SK海力士著手興建支援EUV的DRAM生產線，EUV市場已進入成長爆發階段。
今年EUV設備能提供的晶圓吞吐量已開始符合半導體廠量產需求，而根據ASML的預估，月產能達4.5萬片的7奈米或5奈米12吋晶圓廠，每增加1層EUV光罩層需求就要搭配1台EUV機台系統支援；而月產能達10萬片的16奈米至1A奈米DRAM廠，每增加1層EUV光罩層需求就需搭配1.5～2台的EUV機台系統支援。
業者分析，若月產能達4.5萬片的7奈米12吋廠所生產的處理器或繪圖晶片，EUV光罩層數加總起來若達20層，生產線上就得搭配安裝20台EUV機台系統。此外，目前7奈米單一晶片平均採用的EUV光罩層數約3～5層，但微縮至5奈米製程後的EUV光罩層數將大舉提升至14～16層，若再進一步微縮至3奈米製程，EUV光罩層數可能會高達24層以上。
隨著EUV光罩層數的快速增加，生產鏈已經全面動了起來，由於每增加1層EUV光罩層，就要對應增加約240～260顆EUV Pod採購量，但EUV Pod使用年限最多只有2年。所以，隨著EUV光罩層數持續提高，投入EUV量產的半導體大廠均擴大釋出EUV Pod採購訂單，家登成為最大受惠者，現有產能到年底已滿載供不應求，訂單也排滿到明年上半年。

EUV製程登場  傳拿下英特爾、台積電、三星等全球前三大半導體廠大單

台北報導

　隨著半導體製程朝向7奈米及5奈米世代發展，極紫外光（EUV）確定成為微影技術新主流，包括英特爾、台積電、三星等全球前三大半導體廠，將自明年開始試產EUV製程，2018年開始導入量產。半導體設備暨材料廠家登（3680）極紫外光光罩盒（EUV Pod）獲艾司摩爾（ASML）NXE3400機台認證，業界傳出已拿下前三大半導體廠大單，將帶動明年營收及獲利大躍進。

　家登今年下半年營運走出谷底，第三季虧損大幅縮小，而第四季受惠於英特爾及台積電等半導體廠訂單到位，12吋前開式晶圓傳送盒（FOUP）出貨轉強，訂單能見度達明年上半年。至於EUV Pod則受惠於半導體廠開始逐步啟動EUV製程試產，訂單同樣到位，法人指出，家登明年將放量出貨給全球前三大半導體廠，其中英特爾更是擴大下單，將成為家登EUV Pod最大客戶。

　法人表示，明年將是EUV製程由試產進入量產的重要關鍵年，三星計畫明年直接推出支援EUV製程的7奈米晶圓代工服務，台積電則將在明年提供客戶支援EUV技術的7+奈米試產，預計2019年將進入量產，英特爾則會在10奈米之後開始逐步採用EUV技術。由此來看，EUV已確定成為半導體次世代微影技術主流。

　由於家登是亞太區唯一一家獲得ASML認證通過的EUV Pod供應商，不僅已通過NXE3300機台測試驗證並出貨，新一代NXE3400機台認證已完成，可望在明年量產出貨，以因應客戶在7奈米及更先進製程的EUV Pod需求。據了解，目前EUV Pod貢獻家登每月營收約3,000～4,000萬元，明年有機會出現數倍的成長。

　受到大陸十一長假影響，家登10月合併營收月減8.3％達1.66億元，但11月及12月可望見到強勁成長。家登表示，第四季是傳統出貨旺季，晶圓載具本業及設備出貨，受惠於中國、海外市場客戶資本支出增加，產能需求提升，將帶動營收和獲利穩健成長，預計第四季整體表現將優於第三季。

　家登表示，隨著EUV技術持續發展，中國大陸12吋晶圓廠建廠腳步加速，家登訂單能見度已達明年第一季。家登集團旗下吳江新創公司因車用市場在中國政府新法鼓勵之下，商機浮現，第四季同樣樂觀看待。家登半導體本業及汽車產業第四季整體表現持續看旺。