台北報導
　記憶體大廠美光（Micron）與晶圓專工廠聯電達成和解後，美光進一步宣布與聯電合作，定位雙方為業務夥伴關係，為美光未來向車用、行動裝置以及關鍵客戶的產品供應取得保障。
　業界解讀，美光將會利用聯電28奈米產能，生產DRAM模組的暫存時脈驅動器（RCD）及NAND Flash模組的控制IC等關鍵元件。
　美光與聯電達成和解，業界傳出是群聯執行長潘健成牽線促成。潘健成表示，對於市場傳聞不評論。不過，美光是群聯的客戶，聯電則是長期合作的晶圓代工夥伴，樂見雙方能夠在訴訟糾紛達成和解，未來群聯也會持續與美光、聯電的合作，且可望擴大供貨給美光的5G、車用等相關產品線，達到三贏的結果。
　半導體業界指出，美光與聯電達成和解有二個重要關鍵，一是聯電支付給美光金額保密的和解金，二是聯電增加給美光記憶體模組內建控制晶片的邏輯製程產能支援。因此，美光除了自己下單，亦可能透過合作夥伴向聯電下單，以提高DRAM模組RCD晶片或NAND Flash模組控制IC等產能，以解決記憶體模組長短料問題。
　業者表示，DDR5模組採用的RCD晶片，以及eMMC或固態硬碟（SSD）關鍵的NAND控制IC，主要採用40奈米或28奈米邏輯製程，美光及聯電的業務合作，將由聯電保留南科廠部分產能給美光專用，美光除了直接下單，也會透過供應商下單擴大產出支援。
　聯電指出，美光先前不是聯電的客戶，此合作代表美光將成為聯電的新客戶，美光會在聯電未來新開出的產能投片，有產能保障就能解決車用晶片短缺的問題。供應鏈指出，聯電產能滿載到明年，未來在Fab 12A的P5及P6廠開出新產能應可提供美光及其合作夥伴投片。
　其中，法人預期美光NAND控制IC合作夥伴群聯可望直接受惠。群聯受此利多消息激勵，股價2日攻上漲停，終場大漲41.5元，以458.5元作收，成交量達14,775張。而聯電股價2日在平盤上下震盪，終場下跌0.3元，以66.7元作收，成交量達310,855張，三大法人賣超1,518張。
　美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia表示，美光擴大與聯電的合作，有助於美光強化客戶的供應鏈，同時也是加深整個半導體產業合作的絕佳機會。
　此合作讓美光得以持續為車用及行動裝置客戶提供關鍵產品，美光期待在未來數年透過與聯電合作，為全球客戶提供美光的記憶體與儲存解決方案。

聯電將支付一次性保密金額給美光，赴美設廠可期；業界看好共同邁進異質整合市場
台北報導
　聯電、美光（Micron）訴訟案達成和解，聯電將支付一次性保密金額給予美光。業界認為，美光與聯電達成和解後，有望讓美光與聯電攜手朝向邏輯晶片及記憶體的異質整合市場前進，未來聯電甚至有機會赴美設廠。
受和解利多支撐，聯電26日股價早盤一度逆勢上漲逾2％，雖然後續因台股大盤重挫，連帶影響到聯電股價表現，但終場僅小跌0.79％至62.50元，表現依舊優於大盤。
　聯電與美光26日宣布達成全球和解協議，雙方將各自撤回向對方提出的訴訟，同時聯電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方並將共創商業合作機會。至於外界最關心的和解金可能會落在多少金額？聯電表示，金額無法對外透露，但不會影響到財務表現。
　美光表示，公司將持續推動對於數據經濟至關重要的各項創新，而智慧財產權的保護則是美光賴以維持競爭力的重要基石。聯電指出，公司在各領域提供具有競爭力之產品及服務之際，將持續落實並優化有關營業秘密保護與防免的政策與措施。
　聯電、美光訴訟案，起源於福建晉華的DRAM侵權案。2016年中國福建電子信息集團、泉州及晉江兩級政府共同出資成立福建晉華集成電路，同年聯電受福建晉華委託開發DRAM製程技術，且聯電強調並未涉入生產及投資福建晉華。
　但美光於2017年指控聯電違反營業秘密法，涉嫌以美光跳槽到聯電的員工竊取美光機密資料，2017年美光於美國加州控訴聯電與福建晉華侵害美光營業秘密，此後聯電、美光便開啟了長達超過四年的訴訟案。
　如今隨著聯電、美光訴訟案落幕，業界看好，雙方後續將有機會開啟合作案，有望共同邁進異質整合市場，甚至聯電未來有機會赴美設廠，強化與美光或其他美國公司的合作關係。
　事實上，隨著晶圓製程不斷微縮，將從現今的3奈米製程推進到2奈米，甚至到1.8奈米等更先進製程，開發成本不斷提升，為大幅強化效能，龍頭台積電已開始邁進異質整合封裝市場，除了邏輯IC之外，還需要堆疊記憶體晶片，因此未來邏輯晶圓代工與記憶體市場的合作將成為將來的趨勢。

台灣廠將成美光旗下 導入EUV製程首例
台北報導
記憶體大廠美光（Micron）宣布未來十年將投入1,500億美元資本及研發資出，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia表示，美光持續看好5G、雲端、電動車及人工智慧（AI）等新興領域將會帶來龐大記憶體需求，成為美光投入大筆資本支出的關鍵，但目前尚未底定資本投入方向，並重申台灣依舊是美光生產供應鏈的重要角色。
美光宣布未來十年將投入1,500億美元資本支出，Manish指出，由於電動車、5G、雲端、人工智慧及智慧手機等終端需求不斷成長，以美光現有產能無法因應未來十年的記憶體需求，因此將以規劃1,500億美元投入增加產能及製程研發等應用。至於美光1,500億美元資本支出案，目前是否有任何新建廠房規劃。Manish說，美光當前尚無確切計畫可透露，未來會持續與美國、新加坡及台灣等政府持續溝通，評估各地新建廠計畫。
不過，Manish也坦承，1,500億美元的資本支出計畫當中確定會包含製程研發及微縮成本。他指出，製成微縮成本相當高，但這也是讓利潤成長的關鍵之一，因此美光會持續投入在DRAM、NAND Flash的先進研發開發。
針對外媒報導指出，美光正在評估在美國設廠的可能性。對此，Manish表示，美光確實有在評估在美國設廠計畫，不過由於在美國生產成本高出亞洲35～45％，因此後續需要評估美國聯邦政府及地方政府補貼措施，才會產生足夠誘因在美國設廠，且即便在美國設廠，也不會取代亞洲生產供應鏈的地位。
外界傳出，美光在日本廣島現有廠區將投入8,000億日圓（約合新台幣1954.5億元）擴建廠房，代表台灣在美光生產供應鏈地位恐因此降低。對此，Manish表示，美光在廣島的投資案一事並未獲得公司證實，且台灣目前為美光最先進製程1α奈米製程DRAM的生產重鎮，未來台灣美光更將導入極紫外光（EUV）製程DRAM廠，為旗下全球首座支援EUV製程的DRAM廠。
對於記憶體產業在2022年恐迎來衰退，Manish認為，短期確實有遇到一些記憶體需求修正的壓力，不過從中長期角度來看，在各式新興終端應用持續發展同時，記憶體含量需求只升不減，因此美光仍舊看好未來記憶體市場發展。

執行長Sanjay Mehrotra：未來三年再增2,000名員工，擴編在地團隊

獨家專訪
記憶體大廠美光科技（Micron）執行長Sanjay Mehrotra於19日接受本報獨家專訪，指出美光在台設立DRAM卓越中心，過去三年平均每年在台投資30億美元，是台灣最大外商企業，Sanjay Mehrotra表示，非常看重台灣DRAM技術開發及量產能力，美光今年剛進入量產的台中A3廠會是首座支援極紫外光（EUV）製程DRAM廠。以下是專訪紀要。
台中A3廠 率先全球生產
問：美光導入EUV時程進度為何？
答：美光已宣布將EUV技術放入DRAM技術藍圖，將由10奈米世代中的1γ（gamma）製程節點開始導入。美光的EUV製程DRAM會先在台灣開始生產，台中A3廠會是首座支援EUV製程DRAM廠，預計2024年進入量產階段，之後再擴大應用在美國等其它地區的晶圓廠。美光非常重視台灣的EUV技術研發能力，過去幾年EUV研發中心就在台灣，並已建立很好的生態系統支援，美光善用台灣團隊的專長，已為進入EUV製程世代做好準備。
加快台晶圓、封測廠建置
問：台積電及ASML近期在台大舉徵才，美光今年人才招募計畫為何？
答：美光在台灣有9,000多名員工，是很棒的團隊，讓美光成為記憶體技術的市場領導者。美光DRAM卓越中心設在台灣，台灣團隊參與了1α（alpha）先進製程節點開發，現在已在台中廠進入量產，同時也是1α製程第一個生產據點。美光是台灣最大外商企業，過去三年平均每年在台投資30億美元，未來也會深耕台灣，加快台灣晶圓廠及封測廠技術推進及產能建置，未來2～3年會再增加2,000名員工，會持續擴大台灣團隊規模。
問：美光獲得多項最佳職場認證，如何做到跨國最佳職場？
答：美光在記憶體市場是技術領導者，1α製程DRAM、176層3D NAND等先進技術都已量產，關鍵原因之一在於有很好的職場讓員工能發揮所長，原因之二是美光十分重視多元包容的企業文化，原因之三是員工重視行善及社會責任，三大原因造就跨國最佳職場。美光去年捐贈50萬美元協助台灣科學及大學教育，疫情期間也大力協助各地社群，員工有很好的職場就可以協助企業技術領先且引領創新。
記憶體供需 並未失衡
問：記憶體廠商今年紛紛提高資本支出，美光如何看待記憶體市場供需變化？
答：記憶體在2000年占全球半導體市場比重僅10％，但現在占比已達30％。從供給的角度出發，摩爾定律放緩、資本密集度提升等趨勢，整個記憶體市場的供需並未失衡，和過去幾年相比逐漸好轉。展望未來幾年，整體產業的供需態勢預計會是穩健、健康的狀態。

若順利獲法院核准結案，對營運影響不大
台北報導

晶圓代工廠聯電22日公告，就美國司法部與聯電等被告間營業秘密刑事案件提出建議量刑書狀，請求法院處以較輕的罪名及罰金6,000萬美元（約折合新台幣17.33億元），此解決方案尚待法院核准。法人預期，此刑事案件若順利獲得法院核准結案，罰金金額明顯低於市場預期的10～20億美元以上，對聯電營運影響不大，先前的壓力也將消解。
另外，聯電與美光之間的民事案件雖然仍在審理中，但是因為福建晉華尚未營運就已經停業，對美光幾乎沒有造成損失，法人預期，民事案件對聯電的衝擊應該會更有限，聯電與美光之間針對侵害營業秘密等罪名案件應可在短期內順利落幕。
聯電股價22日上漲1.65元，終場以33.00元作收，創下16年來新高，成交量達425,690張，其中外資買超38,133張，投信買超13,602張，自營商買超2,731張，三大法人合計買超54,466張。
聯電22日就美國司法部與聯電等被告間營業秘密刑事案件提出建議量刑書狀，並已委任律師處理。聯電表示，就被美國司法部起訴的侵害營業秘密等罪名案件，持續跟美國司法部商討可能的解決方案，期望在最短的時間內達成結論。聯電預期法院近日開庭審理本案。為此，聯電和美國司法部各自向法院提出解決方案相關的建議量刑書狀，書狀內容包含請求法院處以較輕的罪名及罰金6,000萬美元。根據雙方的討論，合理預期之可能解決金額為6,000萬美元。惟此解決方案尚待法院核准。
美國司法部於2018年11月發布聲明，控告中國福建晉華、台灣聯電、及晉華總經理陳正坤等在內的3名個人，指控共謀盜竊美國記憶體廠美光商業機密。當時市場一度傳出聯電最高可能面臨200億美元罰金，後來外資法人普遍預期罰金可能介於10～20億美元間，恐對營運造成重大衝擊。
不過，聯電與與美國司法部討論後，已針對營業秘密刑事案件提出建議量刑書狀，請求法院處以較輕的罪名及罰金6,000萬美元，此方案尚待法院核准。法人預期，6,000萬美元罰金對聯電每股盈餘影響約減少0.14元，營運衝擊程度遠低於先前預期。

繼日月光後，如果美光投資成真，將是高雄發展科技廊道最佳機會

高雄報導
國際科技大廠落腳高雄橋頭科學園區有譜？據透露，美商大廠美光（Micron），將南下橋頭科學園區設廠，這也是新任高雄市長陳其邁口中的「美商大咖」，如果美光未來投資成真，加上日月光的進駐，橋頭科的發展就相當值得期待，更是高雄發展科技廊帶的最佳機會。
8月17日陳其邁出席封裝龍頭大廠日月光K13廠動土典禮時透露，還有一家大廠要投資高雄，該家國際大廠究竟是誰？成為業界關注的焦點。消息來源指出，陳其邁所說的這家大咖，就是美國記憶體大廠美光。
高雄市副市長羅達生表示，美商台灣美光（Micron）近年加碼投資台灣，目前集中心力在中科投資，但他相信美光一定會把高雄列為下一步據點，高雄市府也會竭盡所能邀美光前往高雄投資。
羅達生強調，美光在台投資應會考量分散布局，從在台布局及持續加碼擴大投資台灣而言，前往南科投資應是一個必要的思考，因為美光的合作夥伴包括台積電及日月光都在南科，已有產業聚落效應，相信美光會把高雄列為下一個投資據點的考量。
據科技部官員透露，南科管理局曾積極拜訪美光，爭取其赴橋頭科學園區基地設廠投資。南科管理局指出，橋頭科目前只剩二階環評，希望在今年底之前，可以確定二階環評的項目，然後就可入二階環評審議。
管理局表示，依照既定的規劃期程，管理局將在2023年到2024年取得土地，「當然希望可以更快」。面積約262公頃的橋頭科，去年12月25日初次舉辦「橋頭科學園區招商說明會」時，估計園區年產值約1,800億元，令外界有些失望，如果美光確定落腳橋頭科，產值將可大幅飆升，帶動區域繁榮。
在地企業指出，陳其邁在擔任行政院副院長時，就是負責招商事宜，當選高雄市長之後非常有心的把資源引源高雄，因此，在各方全力以赴之下，南科、橋頭科、路竹科和楠梓加工區，有機會走向半導體科技廊道，「這是高雄千載難逢的好機會」。

台北報導

聯電先前遭到記憶體大廠美光（Micron）控告竊取營業秘密，一審判決12日出爐，聯電協理戎樂天及美光前高階主管何建廷、王永銘等人遭判400～600萬元不等罰金，並判處4年半～6年半不等有期徒刑，聯電則遭罰1億元。對此，美光表示感謝，聯電則表示將提起上訴。
2017年遭台中地檢署依違反營業秘密法起訴聯電協理戎樂天及轉職聯電的美光前高階主管何建廷、王永銘等人，台中地院12日一審宣判戎樂天6年6個月有期徒刑及600萬元罰金、何建廷5年6個月有期徒刑及500萬元罰金、王永銘則被判處4年6個月有期徒刑及400萬元罰金，並將沒收三人薪資所得各152萬元至543萬元不等，聯電則遭判1億元罰金。
對此，美光法務長Joel Poppen指出，針對此重大違反營業秘密法之刑事案件，欣見台中地方法院對聯電及其涉案三名員工做出有罪判決，美光對台中地方法院及司法機關的適切處置深表感謝。
對於判決結果，聯電指出，公司並未違反營業秘密法，並將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。在上訴審中，聯電將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法規定的可議之處。譬如，偵訊過程中有不當誘導訊問；對聯電有利的陳述未能詳實記載於調查筆錄中；電磁及其他證據在鑑識上不符規定等等。聯電堅信上訴法院若能依法並公正審酌本案證據，必能證明聯電並未違反營業秘密法
聯電說，本次DRAM製程技術之研發，乃政府投審會事先核准之專案，並為聯電以自有技術為出發點，由300多位工程師組成的研發團隊通力合作，耗時超過二年自主開發DRAM製程，且保留相關研發紀錄，期盼經此過程訓練的DRAM研發人才與研發結果能根留台灣。除了工程師們的努力之外，聯電多年累積的研發經驗及傳承，更是驅動開發的中流砥柱。
聯電指出，公司是台灣第一家半導體公司，一向正派經營，尊重智慧財產權，對台灣半導體產業發展與人才培養貢獻良多。聯電所有技術均為研發團隊自主研發或取得第三人授權。

台北報導

近期市場傳出，美國記憶體大廠美光（Micron）執行長將到訪中國並可能與紫光集團見面消息。美光5日發布聲明間接否認此一傳言，美光表示，總裁暨執行長Sanjay Mehrotra訪中是出席中國國際半導體博覽會並發表主題演講，美光不就任何謠言及猜測發表評論。
紫光集團於6月30日公告成立DRAM事業群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長，執行長則由華亞科前董事長、現任紫光執行副總經理高啟全擔任，代表紫光集團與中國政府的合作進一步深化，也更加確立中國自主開發半導體的發展方向。
對於紫光集團決定跨足DRAM市場，市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，紫光集團於8月27日宣布與重慶市政府簽署合作協定，並在重慶投資DRAM研發中心與工廠，廠房預定2019年年底動工，並於2021年完工。這顯示在福建晉華遭到美國禁售之後，中國加速自主開發DRAM產品的進程。
以目前紫光集團狀況來說，旗下IC設計公司紫光國微具有DRAM相關產品的研發實力，但製程開發上至今仍未有合作對象，未來如果以自主開發的方向進行，至少需要3～5年的研發時間，代表就算2021年工廠完工甚至進入小批量投片，達到一定的經濟規模仍需更長的時間。
集邦表示，紫光集團目前較為欠缺的製程研發能力，預計可望藉由其執行長高啟全的業界人脈進行補強，高啟全明年在紫光任期屆滿，會對紫光的DRAM發展產生的影響須持續關注。
集邦表示，紫光集團並非首次計畫進軍DRAM產業，早在2014年就曾表達出研發DRAM的決心，但當時為了平衡產業與地方發展，且紫光已確定NAND發展路線，此次回歸DRAM開發，主要是因為福建晉華在去年11月遭美國頒布禁售令後，量產與未來研發之路的不確定性因素仍高，加上合肥長鑫雖預計今年底導入量產，但放量最快也要到2020年底。對中國而言，僅有一家正在進行的DRAM廠不足以實現自主開發，尤其又面臨中美貿易摩擦，亦讓紫光重新進行DRAM的開發與生產。

星廠應用先進3D NAND製程技術，推動5G、AI關鍵技術轉型；台中廠拚年底落成
新加坡14日專電
記憶體大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規畫，並應用先進3D NAND製程技術，進一步推動5G、人工智慧（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生產線可望在年底前落成。
美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、在地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、記憶體模組廠威剛、IC基板廠景碩、記憶體封測廠力成、IC通路商文曄等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。
美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位於新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能不變。
美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進製程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產，第四代128層3D NAND將由浮動閘極（floating gate）轉向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。
美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進製程研發重心，2017年在台灣成立DRAM卓越中心，台灣成為美光最大DRAM生產重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有12吋廠，也將加快投資進行新廠區擴建，計畫在年底前完成，而台中廠區後段封測廠亦持續擴大產能。
隨著韓國記憶體廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM製程上採用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益，隨著DRAM製程由1z奈米向1α、1β、1γ奈米技術推進過程，會選擇在合適製程節點採用EUV技術方案。

台北報導

記憶體大廠美光（Micron）在台灣持續擴大布局，近期傳出將在日前新開幕的台中封測廠旁邊，再度打造新生產基地，將可望強化美光在台灣的DRAM產能。法人指出，無塵室工程設備廠商漢唐已經拿下美光數百億元訂單，將可望替業績添上新營運動能。
美光近年來在台灣不斷擴大營運，先前取得的達鴻、大鴻等在中科的廠房，已經被美光打造成先進封測廠，並在2018年10月正式開幕。不僅如此，美光更於2019年1月以5.33億元取得橋椿金屬的廠房，供應鏈指出，由於新購土地緊鄰新設的美光先進封測廠，美光預計將其新購土地與現有封測廠整合，規劃打造成DRAM封測及製造廠，待新廠落成之後，美光在DRAM產能將會大幅提升，使台灣穩坐美光DRAM生產製造最大基地。
法人表示，美光新廠的無塵室工程設備已經由漢唐奪下，累計漢唐已經拿下美光數百億元的訂單，預期款項將在2019年下半年開始陸續認列，推動漢唐業績持續成長。
事實上，漢唐在台灣的訂單除了美光之外，還拿下台積電、華邦電、力晶及旺宏等晶圓廠訂單，漢唐在半導體產業中的無塵室工程設備市占率超越7成水準，其中更有7成營收比重來自於半導體產業。
因此受惠於半導體產業持續擴大投資帶動，法人表示，漢唐2019年新簽下的訂單金額高達461.33億元，預期將分為三年逐步消化訂單，最快今年下半年就可以開始認列訂單金額，可望推動漢唐2019年業績再創歷史新高。漢唐不評論法人預估財務數字。
漢唐今年前四月合併營收85.6億元，寫下歷史同期新高，相較去年同期成長107.9％。法人表示，漢唐已經與中國大陸、台灣等晶圓廠及面板廠簽約，隨著先進製程及擴充產能需求帶動下，漢唐2019年業績可望逐季成長。