3DIC研發中心上線，魏哲家親身赴日
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　台積電總裁魏哲家24日親自出席「台積電日本3DIC研發中心」開幕典禮，他在致詞時表示，台灣及日本都在全球半導體生產鏈中扮演重要角色，相信台積電日本3DIC研發中心成立，能夠與日本合作夥伴共同加快在半導體產業的創新腳步。
　雖然日本已開放台灣人士以商務簽證入境且免隔離，但回台仍需進行3+4天的隔離，魏哲家與台積電先進封裝技術暨服務副總經理廖德堆，仍決定一同出席這場開幕儀式，說明台積電十分重視在日本半導體市場及3DIC先進封裝技術布局。日本經濟產業相萩生田光一出席致詞並與魏哲家會談，也代表日本政府看重台積電的日本投資計畫。
　該中心由台積電設立，並與揖斐電（Ibiden）、新光電氣、信越化學等日本逾20家廠商合作，總投資金額達370億日圓，台積電出資180億日圓，日本政府透過新能源及產業技術統合開發機構（NEDO）出資190億日圓。
　由於人工智慧（AI）及高效能運算（HPC）透過3DIC先進封裝將異質晶片整合已是主流趨勢，台積電日本3DIC研發中心在日本茨城縣筑波市的產業技術總合研究所建置無塵室已完成啟用。日本透過官方及民間共同合作方式，與台積電攜手合作，台積電日本3DIC研發中心注重研究下一代三維矽堆疊和先進封裝技術的材料領域，支援系統級創新、提高運算效能，並整合更多功能。
　魏哲家表示，以專業積體電路製造服務商業模式創立，台積電堅信藉由專注於最擅長的事情，「身處半導體領域的我們都能夠為推動技術進步作出最大化的貢獻」，日本3DIC研發中心正是這種合作模式的完美體現。台積電和日本產業人才合作，能夠與其相互賦能並共同取得突破。
　廖德堆表示，如今單一晶片約含數百億個電晶體，憑藉著先進封裝技術和三維積體電路技術，能夠將數千億個電晶體進行封裝，提供新的運算能力。台積電將和日本3DIC研發中心的夥伴合作，攜手開發有助於將這些創新具體實現的技術。

投資金額約台幣584.2億，持股比重最高為81％
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　經濟部投審會20日召開委員會議，會中通過台積電赴日本熊本縣投資，設置一座技術節點22/28奈米的12吋晶圓廠，台積電暫定持股比例最高為81％，投資額為2,378.2億日圓，約相當新台幣584.2億元。官員說，台積電日本廠確保製程落後台灣先進製程至少一個世代以上，因此委員會同意。
　投審會表示，台積電為就近滿足日本客戶需求，投資設立日本JAPAN ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, INC.，從事積體電路及其他半導體裝置製造、銷售、測試與電路輔助設計業務。本案係台積電與日本SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION合資於日本熊本縣設置一座技術節點22與28奈米12吋晶圓廠，台積電公司暫定持股比例最高為81％。
　投審會強調，考量台積電赴日設廠係由台日指標性企業合作，且相關製程技術落後台灣至少一個世代以上，應無高階製程外流疑慮，我國半導體技術仍保有國際競爭優勢，經委員會議討論後，同意本案。
　此外，僑外資來台投資方面，英屬維京群島商美成投資公司以新台幣40億元，增資頂基開發公司，將全部增資款轉增資頂安開發公司，再轉增資台灣之星電信公司，增資款將用於充實營運資金，包括5G基站建設及持續投入各項客戶取得成本。
　對外投資方面，台泥以3.9億美元增資荷蘭TAIWAN CEMENT (DUTCH) HOLDINGS B.V.，從事投資控股業務。國泰世華銀行以7,500萬美元，增資越南國泰世華銀行茱萊分行，從事銀行業務。
　陸資來台投資方面，大陸商杉金光電（蘇州）以新台幣13億7,988萬9,290元受讓取得台灣杉金光電股份1億37,98萬8,929股（完成後陸資持股比率100％），從事電子零組件製造業、精密器批發業、精密儀器零售業、國際貿易業等。
　官員說，考慮台灣杉金公司生產產品主要係偏光板製造中包括裁切、檢查、包裝以及出貨等成熟製程，無涉關鍵或敏感科技技術，且台廠向台灣杉金公司採購偏光板零組件占比不大，不至於影響國內產業發展，經委員會議討論之後，同意本案。

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　日本經濟產業省近日召開專家會議，公布了振興日本半導體產業的「半導體產業基盤緊急強化包裹方案」，將分三階段推動實施。據日媒報導，台積電及日本索尼半導體解決方案公司（SSS）合資的日本熊本12吋晶圓廠JASM，將是該產業振興方案的第一案，且日本政府擬補助4,000億日圓，約達初期資本支出規模8,000億日圓的一半。
　日本半導體產業振興方案將分三階段推動，其中首輪措施，就是計畫對台積電的日本熊本12吋廠JASM、以及日本現有的老舊半導體廠提供資金援助，目標設定在2030年將日本企業的半導體營收提高至現行的3倍水準。
　據日媒消息，日本政府擬推出「經濟安全保障推進法案」，強化重要性日益增加的半導體產業，而由日本經濟產業省15日召開的專家會議中，公布了振興日本半導體產業的「半導體產業基盤緊急強化包裹方案」，希望藉由資金援助方式，吸引半導體廠商赴日興建先進製程半導體晶圓廠，同時也將對日本現有老舊晶圓廠的設備更新提供援助，並攜手美國投入次世代半導體技術研發。
　日本政府希望藉此提振自家的半導體市占率，目標訂在2030年將日本企業的半導體營收提高至13兆日圓，等於是2020年營收規模的3倍。
　日本經濟產業省公布的半導體方案，將編列於日本政府預計11月19日敲定的經濟對策內，該方案將日本半導體產業振興對策分短、中、長期的三階段實施。其中的短期對策是政策第一階段，就是為了確保日本國內先進半導體產能，將以補助金等方式分數年持續提供援助，吸引海外廠商赴日設立先進製程晶圓廠。
　日媒指出，該方案首輪補助對象，就是台積電及日本索尼在日本熊本合資設立的12吋晶圓廠JASM，預估日本政府將給予4,000億日圓補助，約達JASM初期總資本支出8,000億日圓（約70億美元）的一半。
　台積電及日本索尼日前宣布計劃於日本熊本市設立合資12吋晶圓廠JSAM，初期採用28奈米及22奈米製程，預計2022年開始興建，並於2024年底前開始生產，月產能規畫達4.5萬片，初期預估資本支出約70億美元，此案並獲日本政府承諾支持。而據雙方協議，索尼計畫投資約5億美元並取得JASM不超過20％股權，台積電董事會核准以不超過21.234億美元進行股權投資。

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聯發科宣布與NEC子公司NEC Platforms推出首款採用以7奈米製程打造的5G T750平台的用戶終端設備（CPE）和可攜式WiFi分享器（MiFi）產品，這是聯發科技與NEC Platforms首次在CPE產品上合作，讓訊號覆蓋不足的地方也能夠享有5G高速上網，同時擴大聯發科在日本5G市場布局。
聯發科與雙方NEC Platforms合作的最新MiFi產品「Speed WiFi 5G X1」將於本月推出，緊接著11月將推出CPE產品「Speed WiFi HOME 5G L12」，由日本三大電信公司之一的KDDI及其在沖繩地區的子公司Okinawa Cellular Telephone Company和UQ Communications公司代理銷售。
這兩款新的5G MiFi和CPE產品將加入NEC Platforms的Aterm系列產品，完整的組合將於2022年在日本市場上市。Aterm系列產品在市場上極為成功，行動和家用路由器累計出貨量已高達3,500萬台，持續為日本5G網路通訊設備的開發、製造和維護提供優質可靠解決方案。
聯發科無線通訊事業部副總經理林志鴻表示，聯發科透過與NEC在CPE領域的首次合作，我們將繼續致力於讓消費者充分體驗快速可靠的5G連網優勢，進一步擴大聯發科在日本市場的布局，加速該地區5G的擴展及應用。
聯發科表示，T750平台採用先進的7奈米製程，在5G Sub-6GHz頻段下支持雙載波聚合（2CC CA），訊號覆蓋更廣，其設計在單個晶片組上高度整合5G NR FR1數據機、四核Arm Cortex-A55處理器以及必備週邊，使NEC Platforms能構建輕薄短小且可DIY的高性能CPE設備，省略長時間安裝的耗時與麻煩。
此外，T750平台也同時整合了聯發科無線連網驅動軟體，包括4x4、2x2+2x2雙頻WiFi 6晶片，一次享有全方位5G連網覆蓋。聯發科指出，消費者可自行安裝小型5G裝置，不但省去長時間安裝的耗時與麻煩，也不受限電話或光纖線路的約束，可自由放置於室內各個角落。

明年將建特殊製程12吋晶圓廠，拚2024量產
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台積電總裁魏哲家14日正式宣布，台積電將會在日本興建特殊製程12吋晶圓廠，提供22奈米及28奈米製程產能，並可望獲得日本政府及日本客戶支持。預估該廠將在2022年開始興建，2024年底進入量產階段，可擴大台積電的全球布局。
魏哲家強調，台積電全球據點擴展決策奠基於客戶需求、商業機會、營運效率和成本考量等因素。在進行盡職調查（due diligence）後，台積電宣布有意在日本建立一座特殊製程晶圓廠，此計畫尚待董事會批准。同時，台積電已收到來自客戶和日本政府對此計畫的強力承諾支持。
台積電財務長黃仁昭表示，台積電雖然計畫赴日本設廠，但包括投資金額、產能規模、合作對象等細節，要等到董事會討論通過後才會對外揭露。再者，台積電以往海外投資建廠是以100％獨資為主，包括美國及中國的投資都是獨資，但並不排除有其它的投資方式，例如與重要客戶合資建廠會是個案（case by case）考量。
日媒先前報導，台積電將與索尼（Sony）等日企合作，在日本熊本縣投資設立12吋晶圓廠，總投資金額約達8,000億日圓，而日本政府最高可能補助總投資金額的一半。亦有報導指出，日本豐田汽車及車電大廠Denso也可能加入成為新廠投資者。
魏哲家表示，台積電在日本投資的晶圓廠，將採用22奈米及28奈米技術進行晶圓製造。預計於2022年開始建造，並於2024年底量產，更多相關細節將在董事會核准後提供。台積電相信，擴大全球製造足跡將能夠滿足客戶需求、接觸全球人才、從投資中獲取適當的報酬、並為股東帶來長期的獲利增長。
不過，日本方面對於台積電赴日投資設廠有不同意見，因為日本政府從來沒有對外國企業給予如此高額補助，而且台積電與日本企業共同合資興建的28奈米特殊製程的投資計畫，與原本設定補助7奈米及更先進製程晶圓廠投資計畫有落差，如何說服日本國民將是新上任日本內閣的另一重要課題。

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有關晶圓代工龍頭台積電將赴日本投資設廠傳言不斷，近日業界最新傳言是台積電將與日本索尼（Sony）、豐田汽車（Toyota）、三菱電機（Mitsubishi）合資在日本設廠，總投資金額高達1.6兆日圓，日方與台積電對合資企業持股各占50％。台積電則不評論業界及市場傳言。
日本官方積極拉攏國際半導體大廠到日本投資，台積電先前已宣布將在日本投資設立百分百持股子公司，並在日本成立3DIC材料研發中心，日本經產省將給予正式援助，其中台積電約出資逾180億日圓，日本政府透過新能源及產業技術統合開發機構（NEDO）出資約190億日圓，而包括揖斐電（Ibiden）、信越化學等日本20家廠商也參與合作計畫。
然而有關台積電將在日本設立12吋晶圓廠的消息不斷，繼日前外電報導台積電將在日本熊本縣獨資設立12吋晶圓代工廠消息後，近日業界最新消息傳出台積電將與日本索尼、豐田汽車、三菱電機等合資設廠，投資金額高達1.6兆日圓，約折合新台幣4,000億元。
設備業界指出，日本官方及大型企業針對半導體產業有許多投資建議，台積電與日本三家大企業在日本熊本合資建廠應是其中之一，若台積電真的點頭同意，很快就會宣布投資計畫。現階段消息包括明年初開始動工興建12吋晶圓廠，主要以20奈米製程為主，月產能至少5萬片，除了日本政府給予渥投資獎勵誘因，合資公司的營運模式將走向專廠專用的包產能模式。
不過業界認為，這項計畫若屬實，將打破台積電向來獨資建廠的經營模式，且合資後若遇上長期景氣不好，多餘產能該如何處置？也會是大問題。
日本索尼在半導體領域是全球第一大CMOS影像感測器（CIS）供應商，畫素層（pixel layer）晶片一直由索尼自有晶圓廠生產，邏輯層（logic layer）晶片則委由台積電代工。因此，消息也指出，新合資公司中日方以索尼出資最高，CIS代將是主力產品線，豐田及三菱加入則是鎖定在車用晶片及微控制器領域並確保產能。

金額約190億日圓，Ibiden、信越化學等20家日企也將參與合作

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日本經產省5月31日宣布，通過支持後5G時代通訊系統基礎建設強化研發專案中的先進半導體製程技術開發，有關台積電在日本成立3DIC材料研發中心計畫將給予正式援助。
其中台積電約出資逾180億日圓，日本政府透過新能源及產業技術統合開發機構（NEDO）出資約190億日圓，而包括揖斐電（Ibiden）、信越化學等日本20家廠商也參與合作計畫。
業界認為，台積電與日本企業共同合作開發3DIC技術，並獲得日本政府支援出資，將有助於未來在高效能運算（HPC）及5G應用的異質整合晶片領域，與其它競爭者拉大技術領先差距。同時，台積電也可利用日本在半導體材料及設備的先進技術能力加快3DIC的技術推進。
台積電已宣布將在日本投資設立百分百持股子公司，實收資本額不超過186億日圓，以擴展台積電3DIC材料研究。
而據外電消息，日本經產省將針對台積電在日本成立3DIC材料研發中心計畫給予正式援助，由台積電及日本企業共同合作投入先進半導體3DIC封裝技術及材料的研發總體投資金額約370億日圓，其中，日本政府將透過NEDO所設立的基金投資190億日圓。
據經產省公布資料，為了實現HPC運算、5G網路基建、自駕車的人工智慧（AI）及整合感測等技術，半導體元件透過3DIC先進封裝技術將異質晶片整合是不可或缺技術。台積電日本3DIC研發中心將針對以基板封裝為中心，針對新一代加工及基板材料、接合製程、量測設備等3D先進封裝相關技術進行開發，今年夏天之後將在日本茨城縣筑波市的產業技術總合研究所無塵室內建置試產線，預計明年就可正式進入研發階段。
日本透過官方及民間共同合作方式，與台積電攜手合作，以維持在半導體先進製造技術上的國際競爭力及提升技術能力。而除了日本官方出資，包括材料及設備等部分將借重日本企業的先進技術，包括基板廠Ibiden及新光電氣，材料供應商旭化成、信越化學、東京應化工業、住友化學等，以及設備廠商芝浦機械、日立高科、昭和電工等，共約20家企業將加入合作計畫。
日本媒體指出，日本經產省憂心日本半導體產業出現衰退危機，因而出面向台積電招手並邀請到日本投資。這項作法將有助於日本衰退中的半導體產業復甦，選擇與技術能力強大的台積電合作，也可為日本半導體產業帶來相當大的好處。而對台積電而言，除了研發場所之外，接下來應該會要求日本政府提供生產據點的用地。

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晶圓代工廠聯電25日宣布，已獲得最終批准，將購買與富士通半導體（FSL）所合資的12吋晶圓代工廠三重富士通半導體（MIFS）全部股權，完成併購的日期訂定於2019年10月1日。
聯電表示，近年來國際政治情勢朝向保護主義發展，聯電併購MIFS晶圓廠時間長達一年餘，中間經歷了日本及相關政府機構的嚴格審查，所幸最後仍獲最終核准，將MIFS納入成為聯電100％持股子公司。在完成併購後，聯電不僅在12吋晶圓月產能增加3萬多片，擴大日本半導體市場版圖，在晶圓代工市占率將重回第二大，並提升台灣在全球半導體及晶圓代工市場影響力。
聯電與日本系統大廠富士通子公司FSL於2014年達成合作協議，聯電參與MIFS增資並取得15.9％股權，FSL現已獲准將持有84.1％的MIFS股權轉讓給聯電，收購剩餘股份最終的交易總金額為544億日圓。在完成面試後，MIFS將成為聯電完全獨資子公司，並更名為United Semiconductor Japan Co. Ltd（USJC）。
FSL和聯電的合作除了MIFS股權投資之外，雙方更透過聯電40奈米技術的授權，以及於MIFS建置40奈米邏輯生產線，進一步擴大彼此的合作關係。經過多年的合作營運，雙方一致肯定將MIFS整合至聯電旗下，可將其潛力發揮到最大，提高在日本半導體業的競爭力，同時有助於鞏固聯電業務根基，為聯電的利害關係人創造最高的價值。
聯電過去在日本擁有一座8吋晶圓代工廠聯日半導體（UMC Japan），但已於2012年宣布清算並結束營運。不過，日本IDM廠的整併持續，FSL在2014年進行組織重整，將12吋晶圓廠切割獨立為MIFS並投入晶圓代工市場。如今聯電取得MIFS所有股權，等於在日本半導體市場重新出發。
聯電共同總經理王石表示，這樁併購案結合了USJC世界級的生產品質標準和聯電員工數十年的豐富製造經驗，聯電的經濟規模及晶圓專工的專業技術，將達到雙贏的綜效，可為新的及現有的日本客戶提供更強有力的支持。同時，聯電的全球客戶也將可充分運用日本的12吋晶圓廠。

預期韓廠將降低產能利用率，DRAM及NAND Flash平均上漲約1成；合約價也出現止跌

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日本在7月初開始管控向韓國出口3種生產半導體及面板所需關鍵材料，造成記憶體模組廠出現提高報價狀況。隨著近期日本及韓國之間協商毫無共識，日本經產省又在安全保障貿易管理中將韓國列為最不能信賴國家，日韓貿易紛爭持續惡化，在預期韓國記憶體廠恐將開始降低產能利用率情況下，DRAM及NAND Flash現貨價平均上漲約1成，部份貨源較少產品更一口氣大漲逾2成。
■南亞科、群聯等受惠
隨著DRAM及NAND Flash現貨價持續上漲，7月合約價也出現跌幅明顯縮小或持平止跌現象。由於第三季是傳統旺季，法人看好南亞科、華邦電、群聯等業者本季營收及獲利將明顯優於第二季。
日本對韓國發布關鍵面板及半導體材料限制出口禁令後，韓國記憶體大廠三星電子及SK海力士手中的光阻劑及高純度氟氫酸庫存水位急降，兩家業者雖然積極向外尋求新供應商，但至今仍無法取得足夠材料貨源。同時，韓國業者雖表示已向日本供應商海外工廠調貨，不過日本官方說明若是最終使用者是韓國業者仍受到出口禁令管制。
目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長且需確定最終使用者一定要是半導體廠，所以短期結構性供需反轉的可能性低。但業者表示，光阻劑及高純度氟氫酸保存期限短，日本將申請時間大幅拉長，且每次採購都需申請，會導致韓國業者出現材料供給缺口，造成晶圓廠產能利用率明顯下滑，將可加速DRAM及NAND Flash庫存去化速度。
因為日韓紛爭短期內無法達成共識，加上傳統出貨旺季到來，模組廠順利調漲現貨價格。根據集邦報價，8Gb DDR4現貨均價已漲至3.7美元左右，最高成交價達4.0美元，7月以來漲幅約10％，供貨較少的4Gb DDR3已漲至1.7美元，7月以來漲幅逾15％。
NAND Flash現貨價漲幅更大，因為日本東芝記憶體四日市廠區發生停電後導致第三季產出大幅減少，且智慧型手機最高搭載容量今年拉高至512GB，日韓紛爭可能導致韓系業者供應量下滑，NAND晶圓（wafer）現貨價因此大漲，512Gb TLC晶片價格漲至3.9美元，供貨量少的128Gb TLC晶片價格更大漲33％達1.6美元。
■業界預估至少漲到月底
模組業者表示，韓國三星及SK海力士的庫存已開始下滑，DRAM及NAND Flash現貨價預期至少會漲到月底，7月漲幅預估會達2～3成，若日韓紛爭延續到日本參議院大選後仍然未解，8月現貨價格續漲機率大增，合約價有機會反轉開始上漲。法人認為價格上漲有助於群聯、南亞科、華邦電等記憶體廠第三季營運表現。

強化全球布局、擴充12吋晶圓產能
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晶圓代工廠聯電昨（29）日宣布，將以不超過576.3億元日圓（約新台幣160億元）的金額，完全收購已持有15.9％股權的日本三重富士通半導體（Mie Fujitsu Semiconductor，MIFS），預計2019年1月1日完成股權轉讓，除了能夠擴充聯電12吋晶圓廠產能，更能達到強化全球布局的地位。
聯電目前已持有日本三重富士通半導體15.9％的股權，此次則是要增持其餘的84.1％股權。據了解，日本三重富士通半導體的月產能為3.6萬片12吋晶圓，主要應用在車用、物聯網（IoT）等，並以40、65奈米製程等成熟製程為生產的主力。
聯電財務長劉啟東表示，聯電於2014年參與日本三重富士通半導體增資、並取得15.9％股權及1席董事，並由聯電授權40奈米技術。不過，由於該投資的閉鎖期規定為2.5年，雙方在去年中開始密切接觸，最終決議聯電將百分百收購日本三重富士通半導體股權，取得12吋晶圓廠產能。
聯電表示，日本三重富士通半導體在成為聯電集團的成員後，公司名稱和營運銷售細節將於股權轉讓後儘速決定，在這段期間日本三重富士通半導體仍將維持其現有的客戶銷售管道，繼續為客戶提供高品質的晶圓專工服務。
據了解，日本三重富士通半導體去年總營收約為709億日圓（約為新台幣195億元），全年稅後淨利約29億日圓（約新台幣8億元）。這也意味著，就算三重富士通半導體明年營運維持現狀，仍可推升營收出現雙位數成長。
聯電共同總經理王石表示，聯電正面臨12吋成熟製程需求量的激增，隨著5G、物聯網、汽車和人工智慧等領域新應用的爆發，預估未來市場需求力道將持續推升。他強調，以此收購案來看，可立即取得合格且設備齊全的量產12吋晶圓廠，相較於花費數十億美元和數年時間從頭開始建置新的晶圓廠，不論是時效和投資報酬率都更具優勢。
聯電在取得日本三重富士通半導體12吋晶圓廠產能後，加上現有台灣、中國大陸及新加坡的12吋晶圓廠，可望透過全球化布局，分散生產製造風險。聯電表示，利用公司數十年的世界級IC生產經驗，結合日本當地人才和世界知名的品質標準，提供日本和國際客戶更佳的服務。