台北報導
　受到智慧型手機、筆電及平板等消費性電子需求疲弱影響，DRAM市場下半年呈現供過於求，上游DRAM廠雖然持續控管供給並延後擴產，但為了加速庫存去化，8月以來大動作調降價格，跌價取量策略在近期已略見成效，業者預期第四季應可有效降低ODM／OEM廠及市場通路存貨壓力，庫存有機會提前到明年第一季完成去化。
　全球通膨導致消費性電子需求低迷，伺服器出貨又進入處理器世代交替空窗期，第三季DRAM市場供給過剩壓力陡升。業界原本預期在需求低迷情況下，DRAM原廠仍會嚴控供給來減緩價格跌幅，預期合約均價約較上季下滑10％～15％，但受到消費性電子生產鏈積極去化庫存衝擊，第三季合約均價跌幅恐擴大到15％～20％。然而隨著跌價取量策略在9月開始略見成效，存貨開始降低，庫存過高壓力可望在第四季逐步獲得紓解。
　市調機構集邦認為，在下半年旺季需求展望不明的狀態下，部分DRAM供應商已開始有較明確的降價意圖。業者指出，雖然原廠競相降價求售，價格可能會續跌到第四季，但明年第一季淡季前若能有效降低在手庫存水位，庫存去化完成將有助於價格提前止跌回穩。
　威剛表示，雖然受全球經濟環境衝擊，傳統旺季的消費性需求不如預期，但短期內DRAM現貨價已接近谷底，再跌有限，威剛調整庫存進度符合預期，預計下半年毛利率將可望逐步回穩。
　法人指出，第三季DRAM價格雖跌幅擴大，但出貨動能逐步增加，除了能降低庫存壓力，第四季及明年第一季價格跌幅也可望縮小，DRAM廠營運已接近景氣循環底部。由於三星、SK海力士、美光等三大廠明年將縮減資本支出，幾乎沒有新增產能開出，加上DDR4轉換到晶片尺寸較大的DDR5會帶來產能自然縮減，最快明年中價格就可出現反轉。

四大變數影響，Q3旺季不旺；營運費用增加，毛利率恐下滑
台北報導
　DRAM廠南亞科（2408）11日召開法人說明會，第二季營運雖受到DRAM價格下跌及位元銷售減少的雙重影響，所幸新台幣兌美元匯率貶值，季度營收雖降至180.31億元，但稅後淨利較上季微幅成長，每股淨利2.12元。南亞科總經理李培瑛表示，第三季DRAM市場充滿不確定性且需求減弱，短期市況及DRAM價格仍會向下修正。
　南亞科公告第二季合併營收季減9.6％達180.31億元，較去年同期減少20.4％，平均售價季減中個位數百分比約達5％，銷售量季減高個位數百分比，但新台幣兌美元匯率貶值對營收有所支撐，季度平均毛利率季增0.2個百分點達44.1％，較去年同期提升1.8個百分點。
　南亞科第二季營業利益季減14.3％達53.64億元，與去年同期相較減少24.1％，由於業外收入維持17.40億元高檔，所得稅費用較上季明顯減少，歸屬母公司稅後淨利季增0.4％達65.74億元，與去年同期相較成長6.7％，每股淨利2.12元優於預期。
　李培瑛表示，DRAM原廠庫存水位第二季有所增加，但還沒有到非常嚴重的地步，但庫存狀況要看下半年去化情況而定，若外在變數及終端需求沒有改善，庫存水位恐會持續增加，恐需更長時間才能有效去化。伺服器仍是目前最穩健的成長，但區域性戰爭及全球通膨等兩大外在環境變數若未改善，最後還是會影響到所有市場。
　李培瑛表示，第二季下旬DRAM出貨動能已經轉弱，主要區域性戰爭及全球通膨導致消費信心下降，以及中國封控造成地區需求減緩。第三季原本應是旺季但不旺，影響變數包括各國刺激消費方案是否有效，中國封控解除後能否完全回復正常營運。以目前市況來看，第三季價格向下修正，電費上漲等營運費用增加，毛利率恐將下滑。
　李培瑛指出，DRAM市場受到高通膨、俄烏戰爭、中國疫情封控、物流及消費者購買力等不確定因素影響，下半年將持續面臨修正，四大變數牽動產業產能調整，也是觀察產業是否脫離谷底重要指標。

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　DRAM廠南亞科26日股東會，通過去年盈餘配發現金股利總額114.7億元，以現有股本計算約每股配發3.70元現金股利。董事長吳嘉昭表示，隨著5G、人工智慧（AI）、物聯網、自駕車、元宇宙等相關技術的發展，將帶動DRAM應用多元化，預期第二季市況將小幅修正，爾後有機會逐季改善。

　吳嘉昭表示，由於去年DRAM需求強勁，尤其三星將部分舊產能移轉生產CMOS影像感測器（CIS）等邏輯產品，在供不應求情況下，南亞科DRAM產品賣光且幾乎沒有庫存，因此今年的成長空間有限。現階段DRAM產業面臨高通膨引發原物料上漲、俄烏戰爭、大陸封控、晶圓產能吃緊造成長短料等四大變數影響，但南亞科仍將力求今年營收與去年相當，並透過產品組合優化以穩定提升獲利。

　南亞科第一季合併營收199.46億元，每股淨利2.11元優於預期。南亞科受到中國疫情封城影響，4月合併營收月減2.1％達65.98億元，較去年同期減少10.8％，累計前四個月合併營收265.45億元，較去年同期成長5.7％。

　南亞科近年來積極投入自主技術開發與製程轉換，第一代10奈米世代1A製程已試產第一顆8Gb DDR4並達到良率目標，第二顆DDR5設計完成並投入試產，預計今年進行1A製程轉換並導入量產。第二代10奈米世代1B製程已完成功能性驗證晶片的試製，首顆產品8Gb DDR4已開始投片試產。

　吳嘉昭表示，DRAM是電子產品智慧化關鍵元件，包括智慧手機、伺服器及資料中心是目前最大應用區塊。隨著5G、AI、物聯網、大數據、自駕車、元宇宙相關技術的發展，未來各種消費型智慧電子產品的推出，將帶動DRAM應用多元化，需求每年會有15～20％的位元成長。

　吳嘉昭認為，今年5G手機出貨比重提升，DRAM搭載同步增加，在筆電方面，商用及電競機種需求強勁，但手機及筆電等市場受到全球通膨、地緣政治、缺料影響較重，需求成長趨緩。

DDR3 2月合約價漲2～5％，漲勢可延續到下半年，南亞科、華邦電等受惠
台北報導
　隨著5G數據機晶片及WiFi 6／6E無線網路晶片供不應求情況逐步獲得紓解，包括WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端裝置（CPE）出貨放量，進一步拉動利基型x16規格2Gb及4Gb DDR3需求。在供給吃緊情況下，利基型DDR3的2月合約價提前調漲2～5％幅度，價格漲勢可望維持至下半年。
　隨著韓系DRAM廠已將舊製程DRAM產能移轉生產CMOS影像感測器（CIS），包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）等台灣業者已成為全球最主要的利基型DDR3供應商。由於WiFi 6／6E及5G用戶終端仍採用利基型DDR3設計，法人看好台灣DRAM業者營運一路旺到下半年。
　去年下半年電子生產鏈因為長短料問題，導致利基型DRAM合約價出現緩跌走勢，市場原本預期第一季合約價恐續跌5～10％，第二季才會止跌回穩，但因為DRAM廠產能及產品線調配，位元供給量明顯減少，然而WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端的長短料問題獲得紓解，特別是WiFi 6／6E無線網路晶片及5G數據機晶片缺貨情況大幅改善，帶動利基型DDR3合約價提前進入上漲循環。
　根據集邦科技及模組廠報價，2月份利基型DRAM合約價較1月上漲2～5％，其中，關鍵的x16規格4Gb DDR3顆粒合約價月漲3.17％達2.60美元，x16規模2Gb DDR3顆粒合約價月漲2.42％達2.33美元，均創下近5個月來新高。業界看好利基型DRAM合約價漲勢可延續到下半年。
　業者分析，三星及SK海力士將舊DRAM製程移轉生產CIS元件，造成DDR3的位元出貨量明顯減少，而業界並無DDR3新增產能開出，南亞科現有產能全滿，新廠產能開出時間落在2024年之後，華邦電高雄廠新增每月1萬片產能要第四季才開始投片，位元出貨明顯提高時間點落在明年第一季。由此來看，DDR3供給吃緊情況應會延續到下半年，價格是易漲難跌。
　由需求面來看，今年因為核心邏輯晶片供貨增加，包括WiFi 6／6E路由器、5G用戶終端等網通裝置，以及工業自動化、安全監控、車用電子等相關應用，去年未能出貨訂單將會在上半年放量出貨，由於這些應用仍採用DDR3記憶體設計，所以DDR3缺貨問題已浮上檯面。法人指出，國際大廠淡出後，台廠已是DDR3主要供應商，隨著訂單大舉湧現，看好南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創直接受惠。

涂志豪／台北報導
　國際半導體產業協會（SEMI）於台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）舉行半導體產業ESG永續倡議活動，獲得台積電、日月光、南亞科、力積電、世界先進、旺宏、欣興、華邦電、聯電、穩懋、國發會及工研院齊聚響應，期盼鏈結半導體產業與國際接軌，持續提升永續競爭力形象。再者，台積電表示將以TSMC ESG AWARD鼓勵員工提出鏈結公司ESG五大方向好點子，表彰組織的ESG績效，為社會帶來正向改變。
　SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，因應全球氣候變遷的嚴重影響，全球積極地在各領域進行減少碳足跡的措施。遵循此一趨勢，SEMI為幫助產業實踐永續未來，同時也透過節能減廢媒合會等活動，協助供應鏈夥伴進行創新綠色製程的技術鏈接。
　秉持提升社會的ESG願景，台積電以TSMC ESG AWARD鼓勵員工提出鏈結公司ESG五大方向的好點子，表彰組織的ESG績效，為社會帶來正向改變。繼2020年舉行第一屆TSMC ESG AWARD，2021年進一步加入二個海外子公司共襄盛舉，並透過3D虛擬展覽空間、全公司性直播活動等數位創新途徑，降低疫情間群聚風險。
　台積電表示，2021年總計報名提案數達1,257件，相較去年成長60％，持續擴大共好影響力。台積電董事長暨ESG指導委員會主席劉德音表示，TSMC ESG AWARD的提案不只是點子，而是進一步透過具體行動，成為提升社會向上的力量。
　包括日月光、南亞科、力積電等分享ESG行動及方案。日月光投控行政長汪渡村表示，日月光驅動各重要子公司及營運單位實踐ESG行動方案，致力於推動正面影響力，期盼半導體供應鏈生態圈可建構更美好的未來。
　南亞科副總經理吳志祥表示，在面對全球氣候變遷議題上，除加強氣候韌性調適、降低災害可能帶來的營運衝擊、積極減緩溫室氣體的排放外，長期研發先進且具高效能的環境友善記憶體產品，並將綠色管理融入企業經營中，持續透過去碳化策略建構低碳營運模式，以接軌國際邁向淨零。
　力積電副總經理譚仲民表示，力積電過去五年已投資逾2億元在節能設備的優化，節省能源約6,700萬度電、減碳總量約3.6萬噸。節水方面，力積電透過完整的分流及分級回收、純化後，重新再供應廠內各單元使用。

受惠DRAM合約價調漲，單月達82.1億，年增近七成，市況看旺至Q4

台北報導
雖然市場法人對記憶體市場榮景能否維持有所疑慮，但DRAM廠南亞科（2408）仍看好下半年DRAM市況，預期供不應求及價格上漲趨勢可望維持到第四季。南亞科受惠於DRAM出貨增加及合約價順利調漲，3日公告8月合併營收82.10億元優於預期，並為三年來單月營收新高。法人預期第三季營收將較上季成長近10％，成長動能應可延續到第四季。
南亞科受惠於DRAM價格續漲及出貨強勁，3日公告8月合併營收月增3.3％達82.10億元，較去年同期成長68.6％，為2018年9月以來的單月營收新高。累計前八月合併營收565.28億元，與去年同期相較成長38.9％，為歷年同期次高。
今年以來DRAM需求強勁且供不應求，南亞科產能滿載投片，第三季雖然產出不會增加，但受惠於現貨價及合約價同步調漲，第三季的營收與獲利將優於第二季。南亞科總經理李培瑛日前提到，整體需求及市場狀況維持樂觀看法，第三季DDR3和DDR4價格看漲，但考量第二季價格漲幅高達30％，所以第三季的漲幅可能不及第二季，第四季價格與第三季相較約略持平或上升。
李培瑛表示，全球逐步復甦，DRAM需求持續成長，第三季消費性、伺服器、PC需求穩健，5G手機占比提升，但需要留意供應鏈長短料及對PC與伺服器出貨影響。李培瑛認為第二季供應商庫存都在低點，但下半年供應商增加資本支出，擴建新廠與採購設備，供應端要注意是否會提升高容量DRAM的供貨量。
南亞科自主技術開發順利進行，目前第一代10奈米級製程技術（1A）已完成試產線裝機，前導產品和第二顆下世代DDR5都正在試產中，第二代10奈米（1B）製程技術的首顆產品也將於近期內開始試產。南亞科表示會持續優化20奈米產品組合，除增加在伺服器及PC OEM客戶認證，也將加速低功率產品推廣。
南亞科為滿足市場需求及公司長遠發展，規劃在南林科技園區中興建12吋新晶圓廠，預計年底動土，目標於2023年底前開始裝機。南亞科新廠月產能預估達4.5萬片，總投資金額達新台幣3,000億元，將以7年分三階段完成投資，第一階段月產能1.5萬片生產線並導入第二代10奈米製程量產DDR5或LPDDR5，2024年開始第一階段量產。

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DRAM廠南亞科9日召開法人說明會，受惠於第二季DRAM平均銷售價格上漲30％，推升合併營收達266.37億元，歸屬母公司稅後淨利季增近1.3倍達61.62億元，每股淨利2.00元優於預期。南亞科總經理李培瑛表示，全球經濟逐步復甦有助整體DRAM需求成長，第三季價格將逐月或逐季調漲，第四季價格還有續漲機會，下半年展望樂觀正面，但需留意長短料對供應鏈影響。
南亞科第二季雖然DRAM位元銷售與上季持平，但出貨均價大漲30％，推升合併營收季增27.7％達226.37億元，較去年同期成長37.3％，平均毛利率季增13.2個百分點達42.3％，與去年同期相較提升11.7個百分點，代表本業獲利的營業利益季增逾1.3倍達70.63億元，與去年同期相較成長近1.2倍。
南亞科第二季歸屬母公司稅後淨利61.62億元，與第一季相較大幅成長近1.3倍，與去年同期相較亦大幅提升91.3％，為2019年第一季以來的十季度獲利新高，每股淨利2.00元並優於市場預期，而第二季底每股淨值提升至51.43元。
李培瑛表示，供應鏈長短料對個人電腦、伺服器等生產鏈的影響，以及新冠肺炎疫情持續，甚至是DRAM廠的資本支出變化情況，都有可能延遲復甦，也是需要特別關注的變數。
至於第三季DRAM價格展望，李培瑛表示，目前看來DRAM第三季將逐月或逐季調漲，但漲幅不會像第二季那麼大，第四季價格有機會續漲或與上季持平。至於在出貨量，南亞科第三季位元成長率是持平或微幅下滑，主要是產能已達上限且庫存已消化。
由於三大DRAM廠已加快進行極紫外光（EUV）微影技術的布局，李培瑛表示，EUV的使用會是長期的發展趨勢，不會突然間爆發，加上採購EUV曝光機的時間長，未來廠商的規劃多數會以新產能的應用為主，因為應用在舊產能上不符合經濟效益，所以在2022年對市場影響不會太大。
南亞科為了滿足市場要求及長遠發展，已宣布將在南林科學園區中興建新DRAM廠，持續導入先進製程及產品並擴充產能，新廠總月產能預估達4.5萬片，第一期工程預計年底動土，目標於2023年底前完工並開始裝機量產，總投資金額達新台幣3,000億元，包括先期建置EUV生產能力。李培瑛表示，雖然南亞科第三代10奈米製程可能還不會採用EUV技術，但會為長遠布局預做準備。

韓系大廠嚴控出貨，南亞科、華邦電、威剛等受惠
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由於韓系DRAM大廠季底嚴控出貨，6月下旬DRAM現貨價漲勢再起，標準型4Gb DDR4現貨價回升到4.5～5.1美元的歷史高檔區間，缺貨嚴重的利基型DRAM價格同步回升至今年高點，為第三季DRAM合約價全面上漲預先吹響號角。法人看好南亞科、華邦電、威剛、十銓、宇瞻等業者受惠於漲價效應，營運將一路看旺到年底。
今年上半年DRAM市場因供不應求，現貨價及合約價同步出現大漲行情，其中標準型及伺服器DRAM合約價上半年漲幅逾30％，利基型DRAM合約價上半年漲幅高達70～90％，且至第二季底為止，DRAM現貨價仍高於合約價約30～40％，雖然第二季中旬現貨價略為回檔，但季度韓系業者嚴控出貨，6月下旬現貨價漲勢推升第三季合約價全面上漲。
市調機構集邦科技預估，第三季DRAM合約價平均漲幅約達3～8％。其中，標準型DRAM受惠於筆電出貨強勁，以及上游DRAM原廠嚴控出貨，雖然OEM／ODM廠手中DRAM庫存水位拉升，但合約價將上漲3～8％。伺服器DRAM面臨美國及中國雲端服務客戶採購動作放緩，但DRAM原廠手中庫存水位仍低，伺服器廠商仍在建立庫存，合約價預期將上漲5～10％。
下半年是智慧型手機出貨旺季，但受到新冠肺炎疫情及手機零組件長短料問題影響，以及等待第四季的新款智慧型手機上市，市場預期智慧型手機第三季出貨量將低於預期，連帶造成行動式DRAM需求下滑。不過，DRAM廠上半年已行先調整產品組合，降低手機DRAM供貨比重，所以第三季行動式DRAM合約價維持上漲走勢，漲幅約介於5～15％之間。在繪圖型DRAM部份，由於繪圖卡及遊戲機的DRAM規格已轉換至GDDR6，但第三季DRAM原廠並無法有效滿足強勁需求，所以合約價預估上漲8～13％。
至於缺貨嚴重的消費性及利基型DRAM，受惠於5G基礎建設及網通設備需求暢旺，多數消費性電子產品仍採用DDR3規格，但DRAM原廠將舊產能移轉生產CMOS影像感測器方向不變，所以DDR3市場供給量減少，第三季合約價預期將上漲8～13％，供貨量較充足的DDR4合約價亦上漲3～8％。

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DRAM大廠南亞科（2408）加快跨入10奈米先進DRAM製程，第一代10奈米1A製程已完成裝機並試產8Gb DDR4，第二代10奈米1B製程開發功能性驗證晶片已完成試產，加上宣布將在新北市泰山區南林園區興建新12吋DRAM廠，因此南亞科提高今年資本支出至156億元，與去年約85億元相較大幅增加84％。
南亞科第一季合併營收達177.31億元，稅後淨利季增逾1.9倍達27.05億元，較去年同期成長40.3％，每股淨利0.88元。由於第二季DRAM市場供不應求，現貨價及合約價同步調漲，法人預期南亞科第二季合併營收可望挑戰200億元大關，改寫季度營收歷史新高。南亞科不評論法人預估財務數字。
南亞科積極布局自主技術開發，第一代10奈米製程去年已完成試產線裝機，並配合第一顆8Gb DDR4設計完成及進入試產階段，今年將繼續致力於產品試產及良率提升，8Gb DDR4下半年開始客戶送樣認證及小量生產，第二顆為下世代DDR5正在設計開發，預計今年下半年開始試產。南亞科第二代10奈米級製程技術開發功能性驗證晶片已完成試製，今年也將同步加速技術及產品的開發時程，預計第三季開始試產首顆產品。
南亞科今年仍將持續優化20奈米產品組合，除了增加DDR4 3200Mbps最高規格產品在伺服器及PC OEM廠的認證以提升銷售量外，也將加速20奈米低功率產品推廣，目標市場包括可攜式產品、汽車及工業等應用，可以有效提高產品價值及銷售彈性。
南亞科為了滿足市場要求及長遠發展，已宣布將在南林科技園區中興建新的廠房以持續導入先進製程及產品，並擴充產能，新廠總月產能預估達4.5萬片，第一期工程預計年底動土，目標於2023年底前完工並開始裝機量產，總投資金額達新台幣3,000億元。總體來看，南亞科為了因應10奈米製程技術的量產，以及新12吋DRAM廠廠房興建及一般部門資本支出，預期全年資本支出將以新台幣156億元為上限。

規劃建置極紫外光（EUV）微影生產線，預估2024年開始第一階段量產。
台北報導
DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜20日共同宣布，南亞科規劃於新北市泰山區南林科技園區，投資興建一座雙層無塵室12吋DRAM廠，總投資金額達新台幣3,000億元。此座廠房將採用南亞科自主研發10奈米製程技術生產DRAM，同時規劃建置極紫外光（EUV）微影生產技術。
台塑集團總裁王文淵及經濟部工業局局長呂正華到場力挺，說明台塑集團及政府全力支持新DRAM廠投資計畫。
南亞科新廠月產能預估將達4.5萬片，總投資金額達新台幣3,000億元，預期可直接提供2,000個優質工作機會，並間接創造產業鏈數千個就業機會。新DRAM廠預估以7年分三階段完成投資，第一階段將建置月產能1.5萬片生產線並導入第二代10奈米製程量產DDR5或LPDDR5，預計2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產。
吳嘉昭表示，DRAM是所有電子產品智慧化的關鍵元件，是半導體產業極為重要的一環。因應全球記憶體市場成長趨勢，此次南亞科投資興建先進晶圓廠，提升國際競爭力，台塑企業將全力支持，以具體行動增加高經濟產值與優質工作機會。同時，南亞科長期經營穩健且財務健全，已實現DRAM技術自主里程碑，未來將持續創新研發，以邁向企業永續為目標。
南亞科總經理李培瑛表示，這是南亞科4年多來再度展開新廠投資計畫，南亞科在全球DRAM市場占有率約3％，建新廠並不是為了擴大市占率，主要是希望能提升競爭力，縮小與競爭同業的差距，同時也是基於公司長遠發展需求
李培瑛表示，DRAM應用相當多元，包括5G、人工智慧（AI）、自駕車與雲端等，DRAM市場需求每年穩定成長約15～20％，相關DRAM廠也都理性擴產，對南亞科來說，既有廠房空間已經不足，因此決定興建新12吋晶圓廠，量產第一階段將建立月產能1.5萬片生產線，並導入自主研發第二代10奈米製程，至於EUV技術開發將在第三代10奈米製程啟動。